5.0
Описание
Описание товара: Фотоэлектрический транзистор EL357N(B) SOP-4
Фотоэлектрический транзистор EL357N(B) SOP-4 — это оптрон, представляющий собой комбинированное устройство, состоящее из инфракрасного светодиода и фототранзистора в одном корпусе. Данный компонент широко используется в различных электронных приложениях, включая изоляцию сигналов, управление мощностью, микропроцессорное управление и системы связи, где необходима высокая скорость переключения и надежная гальваническая развязка.
Характеристики:1. Тип корпуса: SOP-4 (Small Outline Package), что обеспечивает компактные размеры и удобство монтажа на печатные платы.
2. Прямой ток светодиода: обычно имеет максимальное значение порядка 60 мА.
3. Коллекторный ток фототранзистора: максимальный ток может достигать около 50 мА, что обеспечивает хорошую чувствительность и быстродействие.
4. Изоляционное напряжение: может достигать значений в пределах 5000V, что обеспечивает отличную электрическую изоляцию между входной и выходной цепями.
5. Скорость переключения: фототранзистор обладает высокоскоростными характеристиками, что делает его подходящим для применения в системах, требующих быстрой реакции.
Этот фотоэлектрический транзистор является идеальным выбором для разработчиков, которые нуждаются в надежных и эффективных компонентах для создания устройств с улучшенной электронной безопасностью и стабильностью.
Фотоэлектрический транзистор EL357N(B) SOP-4 — это оптрон, представляющий собой комбинированное устройство, состоящее из инфракрасного светодиода и фототранзистора в одном корпусе. Данный компонент широко используется в различных электронных приложениях, включая изоляцию сигналов, управление мощностью, микропроцессорное управление и системы связи, где необходима высокая скорость переключения и надежная гальваническая развязка.
Характеристики:1. Тип корпуса: SOP-4 (Small Outline Package), что обеспечивает компактные размеры и удобство монтажа на печатные платы.
2. Прямой ток светодиода: обычно имеет максимальное значение порядка 60 мА.
3. Коллекторный ток фототранзистора: максимальный ток может достигать около 50 мА, что обеспечивает хорошую чувствительность и быстродействие.
4. Изоляционное напряжение: может достигать значений в пределах 5000V, что обеспечивает отличную электрическую изоляцию между входной и выходной цепями.
5. Скорость переключения: фототранзистор обладает высокоскоростными характеристиками, что делает его подходящим для применения в системах, требующих быстрой реакции.
Этот фотоэлектрический транзистор является идеальным выбором для разработчиков, которые нуждаются в надежных и эффективных компонентах для создания устройств с улучшенной электронной безопасностью и стабильностью.
